聚焦!萊特葳芯出席2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇
2023-07-28

萊特葳芯
成功亮相
CASICON2023·西安


CASICON2023·西安

“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”(CASICON2023·西安)是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司協(xié)辦支持。


論壇演講現(xiàn)場

▲萊特葳芯創(chuàng)始人劉天奇博士
7月27日,萊特葳芯創(chuàng)始人劉天奇博士應(yīng)組委會(huì)邀請,在論壇上發(fā)表了《智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究進(jìn)展》的主題報(bào)告,并在現(xiàn)場展出定制化高壓驅(qū)動(dòng)芯片與智能功率模塊解決方案。

劉天奇博士表示,氮化鎵功率晶體管具備較低的輸入/輸出電容與導(dǎo)通電阻,大大降低了開關(guān)損耗,在高頻、高壓、高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域極具優(yōu)勢。在應(yīng)用上,氮化鎵高的開關(guān)速度不可避免的引入了強(qiáng)EMI干擾,對器件的穩(wěn)定工作和長期可靠性提出了較大挑戰(zhàn)。隨著數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、車載電源、移動(dòng)負(fù)載等對高能效電力變換需求的日益增長,智能化的氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)將推動(dòng)氮化鎵功率晶體管在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展。


萊特葳芯展臺(tái)現(xiàn)場

展會(huì)上,萊特葳芯展臺(tái)現(xiàn)場展出定制化高壓驅(qū)動(dòng)芯片與智能功率模塊解決方案,吸引了眾多專業(yè)人士前來溝通交流。公司代表向各位參會(huì)嘉賓分享了最新技術(shù)研究成果,并向現(xiàn)場嘉賓詳細(xì)介紹了公司的主要服務(wù)和產(chǎn)品。
主要服務(wù):
1、200V/600V非隔離半橋驅(qū)動(dòng)芯片
2、低邊單/多通道驅(qū)動(dòng)芯片
3、智能高邊開關(guān)/驅(qū)動(dòng)芯片
4、1200V隔離型高壓驅(qū)動(dòng)技術(shù)
5、GaN/SiC功率晶體管驅(qū)動(dòng)技術(shù)
6、智能功率模塊設(shè)計(jì)與優(yōu)化技術(shù)
主要產(chǎn)品:
封裝HVIC產(chǎn)品、HVIC裸Die、HVIC晶圓、IPM方案

論壇舉辦期間,萊特葳芯與前來參會(huì)的各方專家學(xué)者、企業(yè)代表們進(jìn)行了深入探討,以期合作攜手,促進(jìn)功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用行業(yè)的發(fā)展。
-END-
編輯丨王麗晟
審核丨胡楓銘
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